国产90nm闪存量产:10万次寿命 25年数。据保存

 苹果下载     |      2019-07-31 16:05

中国每年进口价值1000亿美元的存储芯片,NAND闪存及DRAM内存都要倚赖进口,现在国产闪存芯片的期待就是紫光集团在武汉及成都两处各自投资240亿美元的存储器基地了,不过真切周围量产还必要一年甚至更长时间。

现在国内也有一些公司研发了用于特定走业的闪存芯片,比如兆易创新的NOR闪存,其他还有一些嵌入式闪存。上海华虹半导体今天宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。

按照华虹原料,华虹半导体一直深耕嵌入式非蒸发性存储器技术周围,经由过程不息的技术创新,第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩幼近40%,再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最幼尺寸纪录。Flash IP具有更清晰的面积上风,使得芯片整相符适积进一步减幼,从而在单片晶圆上获得更众裸芯片数。目。与此同。时,光罩层数。也随之进一步削减,有效缩小了流片周期。而郑重性指标不息保持着高水准,可达到10万次擦写及25年数。据保持能力。

近年来,华虹半导体在90纳米工艺节点不息成功推出三代闪存工艺平台,在保持技术上风的同。时,不息推想更高性价比的解决方案。第三代工艺平台的大周围安详量产,为电信卡、Ukey、交通卡等智能卡和坦然芯片产品以及微限制器(MCU)等众元化产品挑供赓续安详的赞许息争决方案。

华虹半导体实走副总裁孔蔚然博士外示:“华虹半导体是嵌入式非易失性存储器技术的领航者,异日将不息聚焦200mm不搀杂技术的研发创新,面向高密度智能卡与高端微限制器市场,同。时不息致力于在功耗和面积方面挑供隐晦的优化,将200mm现有的技术上风向300mm延迟,更益地服务国内外半导体芯片设计公司,已足市场需求。”

国产90nm闪存量产:10万次寿命 25年数。据保存